東京都公立大学法人 東京都立大学
国立大学法人 東北大学
国立大学法人 大阪大学
大学共同利用機関法人 高エネルギー加速器研究機構
概要
遷移金属酸化物には結晶構造や化学組成の違いによって性質が大きく変わる材料が多く存在します。なかでも、酸素の出入り（脱挿入）によって電気抵抗率が大きく変化する材料は、次世代メモリーや高感度センサーなどへの応用が期待されています。
東京都立大学大学院理学研究科の岡大地准教授、大阪大学大学院基礎工学研究科のZhaochen Maさん（大学院生）、東北大学大学院理学研究科の福村知昭教授（東北大学材料科学高等研究所（WPI-AIMR）兼務）、同大学多元物質科学研究所の組頭広志教授（高エネルギー加速器研究機構（KEK）兼務）らの研究グループは、単純な酸化処理によって室温での電気抵抗率が約20万分の1に激減する新しい酸化物材料を発見しました。
今回、研究グループは、独自の手法によって2次元的な層状構造を取るクロム酸化物Sr3Cr2O7−δの高品質薄膜の合成に成功しました。この薄膜は、合成直後は電気をほとんど流さない状態でしたが、空気中で加熱すると酸素が結晶に取り込まれ、電気抵抗率が約20万分の1に減少しました。この変化の大きさは、従来の3次元的な構造を持つ同様のクロム酸化物に比べて600倍以上にのぼります（図）。さらに電子状態を詳しく調べたところ、酸素が抜ける位置とクロムのイオン価数という2つの要素がこの材料中を流れる電子の動きに強く影響していることが分かりました。これらの影響が重なった結果、非常に大きな電気抵抗の変化が実現されたと考えられます。本研究は、今後さらに需要が高まると予想される抵抗変化材料の開発において材料設計の指針を与えるものと期待されます。
本研究は高エネルギー加速器研究機構物質構造科学研究所放射光共同利用実験課題（課題番号：2021S2-002）により実施され、放射光施設フォトンファクトリー（PF）BL-2Aが用いられました。
詳しくは プレスリリース をご参照ください。
お問い合わせ先
高エネルギー加速器研究機構（KEK）広報室
Tel : 029-879-6047
e-mail : press@kek.jp