表面制御による高Q値超伝導空洞の現状

 
カテゴリ
開始2015/02/04（水）13:30
終了2015/02/04（水）15:30
会場3号館7階会議室
講演者加藤　茂樹 (高エネルギー加速器研究機構)
言語日本語/Japanese
連絡先生出　勝宣
ウェブサイト
食堂・売店／0

概要

省エネにも大きく寄与する、高いQ値をもつ超伝導加速空洞や材料の研究開発の進展が最近、目覚ましい。中には、2KでのQ値の最高値が単セル空洞での測定ながら10e11に近いものまで報告されている。高いQ値を得る方法としては、通常のNb空洞表面に窒素等の異種元素を導入する方法や転移温度、臨界磁場の高い材料を空洞内面にコーティングする方法がある。また、未だ試料の段階ではあるが、絶縁層を挟んだ多層薄膜のコーティングによる高性能化も試みられていて、高いQ値のみならずさらなる高加速電界が期待されている。ここでは、その具体的な表面制御法、薄膜作成法、そして、得られた性能の具体例を、各種分析手段による表面の構造解析、形態観察等の結果と合わせて紹介する。

2020年42 2019年155 2018年155 2017年217 2016年187 2015年193

カテゴリ

TOP