レーザー分子線エピタキシー光電子分光複合装置

表面・界面を作りながらその場で測定する

レーザー分子線エピタキシー光電子分光複合装置

レーザー分子線エピタキシー（レーザーMBE）は、半導体の結晶成長に使われる技術で、超高真空中で基盤結晶の上に原子１層ずつ結晶を積み上げていきます。この装置では、半導体の表面・界面の状態をすぐにその場で調べられるように、レーザー分子線エピタキシー装置と、放射光によって電子状態を調べるための光電子分光装置を組み合わせたものです。試料を大気にさらすことなく、原子１層レベルで制御された精密な半導体結晶の性質を調べることができます。